4H Semi-Wafer SiC isolasi

4H Semi-Wafer SiC isolasi

Substrat SiC semi-isolasi menawarkan resistivitas tinggi dan sifat termal yang sangat baik, sehingga cocok untuk pertumbuhan heteroepitaksial GaN dan aplikasi semikonduktor RF frekuensi tinggi. Sebagai substrat SiC-berperforma tinggi, substrat ini banyak digunakan untuk perangkat berbasis HEMT-dalam sistem komunikasi tingkat lanjut, termasuk infrastruktur 5G. Wafer SiC semi-isolasi ini juga memberikan sifat optik dan material yang sangat baik, mendukung aplikasi yang sedang berkembang dalam optoelektronik dan substrat SiC elektronik. 12-inci yang dapat dipakai menawarkan potensi untuk aplikasi-generasi berikutnya seperti kacamata AR dan perangkat optik canggih lainnya.
Share to
Kirim permintaan
Obrolan Sekarang
Deskripsi
Parameter teknis

 

Pengenalan Produk

 

 

Substrat SiC semi-isolasi menawarkan resistivitas tinggi dan sifat termal yang sangat baik, sehingga cocok untuk pertumbuhan heteroepitaksial GaN dan aplikasi semikonduktor RF frekuensi tinggi. Sebagai performa-yang tinggiSubstrat SiC, ini banyak digunakan untuk perangkat berbasis HEMT-dalam sistem komunikasi tingkat lanjut, termasuk infrastruktur 5G.

 

Semi-isolasi iniwafer SiCjuga memberikan sifat optik dan material yang sangat baik, mendukung aplikasi yang sedang berkembang dalam optoelektronik dan elektronik yang dapat dipakai. 12-substrat SiC berukuran inci menawarkan potensi untuk-aplikasi generasi berikutnya seperti kacamata AR dan perangkat optik canggih lainnya.

 

 

 

Spesifikasi

 

 

 

product-1-1

 

6 inci
Diameter 150,0mm+0mm/-0,2mm
Orientasi Permukaan {0001}±0,2 derajat
Orientasi Datar Primer /
Orientasi Datar Sekunder /
Panjang Datar Primer Takik
Panjang Datar Sekunder Tidak ada
Orientasi Takik <1100>±1,0 derajat
Kedalaman Takik Tidak ada1mm+0.25mm/-0mm dari tepi
Sudut Takik 90 derajat +5 derajat /-1 derajat
Ketebalan 500,0um±25,0um
Jenis Semi-isolasi

 

 

 

 

 

8 inci
Diameter 200,0mm+0mm/-0,5mm
Orientasi Permukaan {0001}±0,2 derajat
Orientasi Datar Primer /
Orientasi Datar Sekunder /
Panjang Datar Primer Takik
Panjang Datar Sekunder Tidak ada
Orientasi Takik <1100>±1,0 derajat
Kedalaman Takik Tidak ada1mm+0.25mm/-0mm dari tepi
Sudut Takik 90 derajat +5 derajat /-1 derajat
Ketebalan 500,0um±25,0um
Jenis Semi-isolasi

 

 

product-1-1

 

 

 

product-1-1
12 inci
Diameter 300,0mm+0mm/-0,5mm
Orientasi Permukaan {0001}±0,5 derajat
Orientasi Datar Primer /
Orientasi Datar Sekunder /
Panjang Datar Primer Takik
Panjang Datar Sekunder Tidak ada
Orientasi Takik <1100>±5,0 derajat
Kedalaman Takik Tidak ada1mm+0.25mm/-0mm dari tepi
Sudut Takik 90 derajat +5 derajat /-1 derajat
Ketebalan 750.0um±25.0um
Jenis Semi-isolasi

 

 

Sertifikat

 

 

 

1







 

Tag populer: 4H Semi-Wafer SiC isolasi, Tiongkok, pemasok, produsen, pabrik, buatan Tiongkok

Kirim permintaan
Kirim permintaan