Tipe N Wafer Surya Monokristalin Persegi Penuh

Tipe N Wafer Surya Monokristalin Persegi Penuh

Dalam industri PV surya, transisi teknologi wafer datang dari pergeseran dari pseudo square 156.75x156.75mm M2 ke ukuran wafer yang lebih besar pada full square 158.75x158.75mm dan ini termasuk wafer mono-Si tipe-p dan tipe-n. art Full Square Mono Wafer telah memaksimalkan paparan cahaya ke tingkat multi wafer yang sama dengan memperluas ukuran persegi. Wafer selalu berbentuk persegi sehingga sesuai dengan modul PV secara optimal.
Share to
Kirim permintaan
Obrolan Sekarang
Deskripsi
Parameter teknis

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


Dalam industri PV surya, transisi teknologi wafer datang dari pergeseran dari pseudo square156.75x156.75mm M2 hingga ukuran wafer yang lebih besar pada kotak penuh 158.75x158.75mm dan ini termasuk wafer mono-Si tipe-p dan tipe-n.

Full Square Mono Wafer yang canggih telah memaksimalkan paparan cahaya ke tingkat multi wafer yang sama dengan memperluas ukuran persegi. Wafer selalu berbentuk persegi sehingga sesuai dengan modul PV secara optimal.

1 Sifat bahan

Properti

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Metode pertumbuhan

CZ


Kristalinitas

Monokristalin

Teknik Etsa PreferensialASTM F47-88

Jenis konduktivitas

tipe-N

Napson EC-80TPN

dopan

Fosfor

-

Konsentrasi oksigen[Oi]

8E+17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Konsentrasi karbon[Cs]

5E+16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Kerapatan lubang etsa (kepadatan dislokasi)

500 cm-3

Teknik Etsa PreferensialASTM F47-88

Orientasi permukaan

& lt;100>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

Orientasi sisi persegi semu

& lt;010>,<001>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

2 Sifat listrik

Properti

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Resistivitas

0.3-2.1 .cm

1.0-7.0 .cm

Sistem inspeksi wafer

MCLT (seumur hidup pembawa minoritas)

1000 s(Resistivitas0.3-2.1 .cm)
≧500 μs(Resistivitas1.0-7.0 .cm)

Sinton sementara

3 Geometri


Properti

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Geometri

Kotak penuh


Panjang Sisi Wafer

158,75±0,25 mm

sistem inspeksi wafer

Diameter Wafer

223±0,25 mm

sistem inspeksi wafer

Sudut antara sisi yang berdekatan adjacent

90° ± 0.2°

sistem inspeksi wafer

Ketebalan

180 20/10 µm;

17020/10 µm

sistem inspeksi wafer

TTV (Variasi ketebalan total)

27 µm

sistem inspeksi wafer



image



4 Sifat permukaan


Properti

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Metode pemotongan

DW

--

Kualitas permukaan

saat dipotong dan dibersihkan, tidak ada kontaminasi yang terlihat, (minyak atau gemuk, sidik jari, noda sabun, noda bubur, noda epoksi/lem tidak diperbolehkan)

sistem inspeksi wafer

Tanda gergaji / langkah

≤ 15µm

sistem inspeksi wafer

Busur

≤ 40 µm

sistem inspeksi wafer

Melengkung

≤ 40 µm

sistem inspeksi wafer

keping

kedalaman 0.3mm dan panjang 0.5mm Max 2/pcs; tidak ada chip-V

Mata telanjang atau sistem inspeksi wafer

Retak / lubang mikro

Tidak diperbolehkan

sistem inspeksi wafer




Tag populer: n jenis wafer surya monokristalin persegi penuh, Cina, pemasok, produsen, pabrik, buatan China

Kirim permintaan
Kirim permintaan