Pengenalan Produk
Substrat SiC tipe N-direkayasa untuk pertumbuhan homoepitaksial dalam manufaktur semikonduktor daya tingkat lanjut. Dengan performa kelistrikan dan termal yang unggul, performa-tinggi iniSubstrat SiCcocok untuk-aplikasi berdaya tinggi pada kendaraan listrik, sistem fotovoltaik, tenaga angin, dan teknologi energi baru lainnya.
Rangkaian produknya mencakup 6 inci dan 8 inciwafer SiCuntuk produksi volume dan pasokan global, dengan kemampuan produksi substrat 12-inci tersedia untuk aplikasi semikonduktor daya generasi berikutnya.
Spesifikasi
| 6 inci | |
|---|---|
| Diameter | 150,0mm+0mm/-0,2mm |
| Orientasi Permukaan | 4 derajat ke arah<1120>±0,5 derajat |
| Panjang Datar Primer | 47,5mm ±1,5mm |
| Orientasi Datar Primer | <1120>±1,0 derajat |
| Orientasi Takik | / |
| Sudut Takik | / |
| Kedalaman Takik | / |
| Flat Sekunder | N/A |
| Ketebalan | 350,0um±25,0um |
| Politipe | 4H |
| Jenis | n-ketik |
| 8 inci | |
|---|---|
| Diameter | 200,0mm+0mm/-0,5mm |
| Orientasi Permukaan | 4 derajat ke arah<1120>±0,5 derajat |
| Panjang Datar Primer | Takik |
| Orientasi Datar Primer | / |
| Orientasi Takik | <1100>±1,0 derajat |
| Sudut Takik | 90 derajat +5 derajat /-1 derajat |
| Kedalaman Takik | 1,0mm+0.25mm/-0mm |
| Flat Sekunder | N/A |
| Ketebalan | 500,0um±25,0um |
| Politipe | 4H |
| Jenis | n-ketik |
| 12 inci | |
|---|---|
| Diameter | 300,0mm+0mm/-0,5mm |
| Orientasi Permukaan | 4 derajat ke arah<1120>±0,5 derajat |
| Panjang Datar Primer | Takik |
| Orientasi Datar Primer | / |
| Orientasi Takik | <1100>±5,0 derajat |
| Sudut Takik | 90 derajat +5 derajat /-1 derajat |
| Kedalaman Takik | 1,0mm+0.25mm/-0mm |
| Flat Sekunder | N/A |
| Ketebalan | 750.0um±25.0um |
| Politipe | 4H |
| Jenis | n-ketik |
Sertifikat
Tag populer: 4h n-jenis substrat sic, Tiongkok, pemasok, produsen, pabrik, buatan Tiongkok
