Pengenalan Produk
Substrat SiC tipe P-dirancang untuk pertumbuhan homoepitaksial dan pengembangan perangkat semikonduktor daya tegangan ultra-tinggi-. Dengan karakteristik kelistrikan dan termal yang sangat baik, performa-tinggi iniSubstrat SiCcocok untuk aplikasi berdaya-tinggi, termasuk transmisi daya-tegangan sangat tinggi dan infrastruktur jaringan pintar.
Tipe P-iniwafer SiCjuga mendukung aplikasi pada angkutan kereta api, sistem tenaga industri, dan-peralatan listrik berdaya tinggi lainnya yang memerlukan kemampuan-tegangan tinggi, keandalan, dan konversi daya yang efisien.
Spesifikasi
| 6 inci | |
|---|---|
| Diameter | 150,0mm+0mm/-0,2mm |
| Orientasi Permukaan | 4 derajat ke arah<1120>±0,5 derajat |
| Panjang Datar Primer | 47,5mm±1,5mm |
| Orientasi Datar Primer | <1120>±5,0 derajat |
| Orientasi Takik | / |
| Sudut Takik | / |
| Kedalaman Takik | / |
| Ketebalan | 350,0um±25,0um |
| Politipe | 4H |
| Jenis | p-ketik |
| 8 inci | |
|---|---|
| Diameter | 200,0mm+0mm/-0,2mm |
| Orientasi Permukaan | 4 derajat ke arah<1120>±0,5 derajat |
| Panjang Datar Primer | Takik |
| Orientasi Datar Primer | / |
| Orientasi Takik | <1100>±1,0 derajat |
| Sudut Takik | 90 derajat +5 derajat /-1 derajat |
| Kedalaman Takik | 1,0mm+0.25mm/-0mm |
| Ketebalan | 350,0um±25,0um |
| Politipe | 4H |
| Jenis | p-ketik |
| 12 inci | |
|---|---|
| Diameter | 300,0mm±0,5mm |
| Orientasi Permukaan | 4 derajat ke arah<1120>±0,5 derajat |
| Panjang Datar Primer | Takik |
| Orientasi Datar Primer | / |
| Orientasi Takik | <1100>±5,0 derajat |
| Sudut Takik | 90 derajat +5 derajat /-1 derajat |
| Kedalaman Takik | 1,0mm+0.25mm/-0mm |
| Ketebalan | 750.0um±25.0um |
| Politipe | 4H |
| Jenis | p-ketik |
Sertifikat
Tag populer: 4H P-Jenis wafer SiC, Tiongkok, pemasok, produsen, pabrik, buatan Tiongkok
