P Tipe 161.7mm Monocrystalline Solar Wafer

Metode pertumbuhan

Cz

Kristalitas

Monokristallin

Teknik Etsa Preferensial（ASTM F47-88）

Jenis konduktivitas

Tipe-P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant (dalam Dopant)

Boron, Gallium

-

Konsentrasi oksigen[Oi]

≦8E+17 at/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Konsentrasi karbon[Cs]

≦5E +16 at/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Kepadatan lubang etch (kepadatan dislokasi)

≦500 cm^-3

Teknik Etsa Preferensial（ASTM F47-88）

Orientasi permukaan

<100>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

Orientasi sisi persegi semu

<010>,<001>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

Resistivitas

0,5-1,5 Ωcm

Sistem inspeksi wafer

MCLT (masa pakai operator minoritas)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(dengan tingkat injeksi: 1E15 sentimeter^-3)

geometri

Kuadrat kuasi

Panjang samping wafer

161,7±0,25 mm

sistem inspeksi wafer

Wafer Diameter

φ221±0,25 mm

sistem inspeksi wafer

Sudut antara sisi yang berdekatan

90° ± 0,2°

sistem inspeksi wafer

Ketebalan

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

TTV (Variasi ketebalan total)

≤27 μm

sistem inspeksi wafer

Metode pemotongan

Dw

--

Kualitas permukaan

seperti dipotong dan dibersihkan, tidak ada kontaminasi yang terlihat, (minyak atau minyak, sidik jari, noda sabun, noda bubur, noda epoksi / lem tidak diizinkan)

sistem inspeksi wafer

Tanda gergaji / langkah

≤ 15μm

sistem inspeksi wafer

busur

≤ 40 μm

sistem inspeksi wafer

Warp

≤ 40 μm

sistem inspeksi wafer

Chip

kedalaman ≤0,3mm dan panjang ≤ 0,5mm Max 2/pcs;   tidak ada V-chip

Mata telanjang atau sistem inspeksi wafer

Retakan mikro / lubang

dilarang

sistem inspeksi wafer