P Tipe M10 Monocrystalline Solar Wafer

P Tipe M10 Monocrystalline Solar Wafer

M10 dengan dimensi wafer surya silikon monokristallin monokristallin 182mm dengan diameter 247mm dapat membuat sel surya daya yang lebih tinggi.
Share to
Kirim permintaan
Obrolan Sekarang
Deskripsi
Parameter teknis


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


Wafer surya silikon monokristallin 210mmx210mm M12 dengan diameter 295mm adalah 80,5% lebih besar dari wafer M2.


1      Sifat material

 

harta benda

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Metode pertumbuhan

Cz


Kristalitas

Monokristallin

 

Teknik Etsa PreferensialASTM F47-88

Jenis konduktivitas

Tipe-P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant (dalam Dopant)

 

Boron, Gallium

 

-

Konsentrasi oksigen[Oi]

≦8E+17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Konsentrasi karbon[Cs]

5E +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Kepadatan lubang etch (kepadatan dislokasi)

500 cm-3

Teknik Etsa PreferensialASTM F47-88

Orientasi permukaan

<100>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

Orientasi sisi persegi semu

<010>,<001>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

 

2      Sifat listrik

 

harta benda

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Resistivitas

0,5-1,5 Ωcm

Sistem inspeksi wafer

MCLT (masa pakai operator minoritas)

50 μs

Sinton BCT-400

(dengan tingkat injeksi: 1E15 sentimeter-3)

 

3      geometri

 

harta benda

Spesifikasi

Metode Inspeksi

geometri

Persegi penuh


Panjang samping wafer

182±0,25 mm

sistem inspeksi wafer

Wafer Diameter

φ247±0,25 mm

sistem inspeksi wafer

Sudut antara sisi yang berdekatan

90° ± 0,2°

sistem inspeksi wafer

Ketebalan

18020/10 μm;

17020/10 μm

sistem inspeksi wafer

TTV (Variasi ketebalan total)

27 μm

sistem inspeksi wafer


 image

 

 

4      Properti permukaan

 

harta benda

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Metode pemotongan

Dw

--

Kualitas permukaan

seperti dipotong dan dibersihkan, tidak ada kontaminasi yang terlihat, (minyak atau minyak, sidik jari, noda sabun, noda bubur, noda epoksi / lem tidak diizinkan)

sistem inspeksi wafer

Tanda gergaji / langkah

≤ 15μm

sistem inspeksi wafer

busur

≤ 40 μm

sistem inspeksi wafer

Warp

≤ 40 μm

sistem inspeksi wafer

Chip

kedalaman ≤0,3mm dan panjang ≤ 0,5mm Max 2/pcs;   tidak ada V-chip

Mata telanjang atau sistem inspeksi wafer

Retakan mikro / lubang

dilarang

sistem inspeksi wafer




Tag populer: p tipe m10 monokristallin wafer surya, Cina, pemasok, produsen, pabrik, dibuat di Cina

Kirim permintaan
Kirim permintaan