P Type 182mm Monocrystalline Solar Wafer

Metode pertumbuhan

CZ

Kristalinitas

Monokristalin

Teknik Etsa Preferensial（ASTM F47-88）

Jenis konduktivitas

tipe-P

Napson EC-80TPN

P/N

dopan

Boron, Gallium

-

Konsentrasi oksigen[Oi]

≦8E+17 at/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Konsentrasi karbon[Cs]

≦5E+16 at/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Kerapatan lubang etsa (kepadatan dislokasi)

≦500 cm^-3

Teknik Etsa Preferensial（ASTM F47-88）

Orientasi permukaan

& lt;100>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

Orientasi sisi persegi semu

& lt;010>,<001>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

Resistivitas

0,5-1,5 cm

Sistem inspeksi wafer

MCLT (seumur hidup pembawa minoritas)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(dengan tingkat injeksi: 1E15 cm^-3)

Geometri

Kotak penuh

Panjang Sisi Wafer

182±0,25 mm

sistem inspeksi wafer

Diameter Wafer

247±0,25 mm

sistem inspeksi wafer

Sudut antara sisi yang berdekatan adjacent

90° ± 0.2°

sistem inspeksi wafer

Ketebalan

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (Variasi ketebalan total)

≤27 µm

sistem inspeksi wafer

Metode pemotongan

DW

--

Kualitas permukaan

saat dipotong dan dibersihkan, tidak ada kontaminasi yang terlihat, (minyak atau gemuk, sidik jari, noda sabun, noda bubur, noda epoksi/lem tidak diperbolehkan)

sistem inspeksi wafer

Tanda gergaji / langkah

≤ 15µm

sistem inspeksi wafer

Busur

≤ 40 µm

sistem inspeksi wafer

Melengkung

≤ 40 µm

sistem inspeksi wafer

keping

kedalaman 0.3mm dan panjang 0.5mm Max 2/pcs; tidak ada chip-V

Mata telanjang atau sistem inspeksi wafer

Retak / lubang mikro

Tidak diperbolehkan

sistem inspeksi wafer