N Type 156.75mm Monocrystalline Solar Wafer

N Type 156.75mm Monocrystalline Solar Wafer

Fakta bahwa teknologi sel yang menampilkan efisiensi tertinggi dalam produksi industri didasarkan pada wafer Cz-Si tipe-n adalah demonstrasi mencolok mengapa wafer tipe-n adalah bahan yang paling cocok untuk sel surya efisiensi tinggi. Lebih detail, ada beberapa alasan fisik untuk keunggulan tipe-n versus tipe-p.
Share to
Kirim permintaan
Obrolan Sekarang
Deskripsi
Parameter teknis

CZ silicon crystal growth


Monocrystalline wafer 1


Fakta bahwa teknologi sel yang menampilkan efisiensi tertinggi dalam produksi industri didasarkan pada wafer tipe N Cz-Si adalah demonstrasi yang mencolok mengapa wafer tipe-n adalah bahan yang paling cocok untuk sel surya efisiensi tinggi. Lebih detail, ada beberapa alasan fisik untuk keunggulan tipe N versus tipe P, yang paling penting adalah:

  • karena tidak adanya boron, tidak ada degradasi yang diinduksi cahaya (LID) yang terjadi pada wafer Si tipe-p, karena kompleks boron-oksigen

  • karena N tipe Si kurang sensitif terhadap pengotor logam yang menonjol, secara umum panjang difusi pembawa minoritas dalam tipe-n Cz-Si secara signifikan lebih tinggi dibandingkan dengan tipe-p Cz-Si

  • N tipe Si kurang rentan terhadap degradasi selama proses suhu tinggi seperti B-difusi.

1 Sifat bahan

Properti

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Metode pertumbuhan

CZ


Kristalinitas

Monokristalin

Teknik Etsa PreferensialASTM F47-88

Jenis konduktivitas

tipe-N

Napson EC-80TPN

dopan

Fosfor

-

Konsentrasi oksigen[Oi]

8E+17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Konsentrasi karbon[Cs]

5E+16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Kerapatan lubang etsa (kepadatan dislokasi)

500 cm-3

Teknik Etsa PreferensialASTM F47-88

Orientasi permukaan

& lt;100>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

Orientasi sisi persegi semu

& lt;010>,<001>±3°

Metode Difraksi Sinar-X (ASTM F26-1987)

2 Sifat listrik

Properti

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Resistivitas

0.2-2.0 .cm

0,5-3,5 .cm

1.0-7.0 .cm

1.5-12 .cm

resistivitas lainnya

Sistem inspeksi wafer

MCLT (seumur hidup pembawa minoritas)

1000 μs(Resistivitas> 1Ωcm)
500 μs(Resistivitas<>Ωcm)

Sinton sementara

3 Geometri

Properti

Spesifikasi

Metode Inspeksi

Geometri

Kotak semu


Bentuk tepi miring

Bulat


ukuran wafer

(Panjang sisi * panjang sisi * diameter

M0: 156*156*ϕ210 mm

M1: 156.75*156.75* ϕ205mm

M2: 156.75*156.75* ϕ210 mm

Sistem inspeksi wafer

Sudut antara sisi yang berdekatan adjacent

90±3°

Sistem inspeksi wafer


image




Tag populer: N Type 156.75mm Monocrystalline Solar Wafer, Cina, pemasok, produsen, pabrik, buatan China

Kirim permintaan
Kirim permintaan