PENDAHULUAN PRODUK
Sifat material
Parameter | Ciri | Metode Kontrol ASTM |
Ketik/dopan | P, Boron N, Fosfor N, Antimony N, Arsenik | F42 |
Orientasi | <100>, <111>Iris dari orientasi per spesifikasi pelanggan | F26 |
Kandungan oksigen | 1019 Toleransi Kustom PPMA per spesifikasi pelanggan | F121 |
Kandungan karbon | < 0.6 ppmA | F123 |
Rentang resistivitas, boron, fosfor, antimonis, arsenik | 0.001 - 50 ohm cm | F84 |
Sifat mekanik
Parameter | Utama | Monitor/ Tes a | Tes | Metode ASTM |
Diameter | 300 ± 0,2 mm | 300 ± 0,2 mm | 300 ± 0,5 mm | F613 |
Ketebalan | 775 ± 20 μm (standar) | 775 ± 25 μm (standar) 450 ± 25 μm 625 ± 25 μm 1000 ± 25 μm 1300 ± 25 μm 1500 ± 25 μm | 775 ± 50 μm (standar) | F533 |
Ttv | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm | F657 |
Busur | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm | F657 |
Membungkus | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm | F657 |
Bulatan tepi | Semi-st-std | F928 | ||
Tanda | Semi-flat primer saja, semi-std flat jeida flat, takik | F26, F671 | ||
Kualitas Permukaan
Parameter | Utama | Monitor/ Tes a | Tes | Metode ASTM |
Kriteria sisi depan | ||||
Kondisi permukaan | Mekanik kimia dipoles | Mekanik kimia dipoles | Mekanik kimia dipoles | F523 |
Kekasaran permukaan | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° | |
Contamination,Particles @ >0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
Kabut, lubang, kulit jeruk | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada | F523 |
Tanda gergaji, striasi | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada | F523 |
Kriteria sisi belakang | ||||
Celah, crowsfeet, bekas gergaji, noda | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada | F523 |
Kondisi permukaan | Etsa kaustik | F523 | ||
Deskripsi produk
Sempurna untuk aplikasi microfluidics . untuk aplikasi mikroelektronika atau mems, silakan hubungi kami untuk spesifikasi terperinci .
While semiconductor devices continue to shrink, it is becoming increasingly important for wafers to have high surface quality on both their front and back side. Currently these wafers are most common in microelectromechanical systems (MEMS), wafer bonding, silicon on insulator (SOI) fabrication, and applications with tight flatness requirements. Microelectronics acknowledges the evolution of the Industri semikonduktor dan berkomitmen untuk menemukan solusi jangka panjang untuk semua kebutuhan pelanggan .
Saham besar wafer yang dipoles sisi ganda di semua diameter wafer mulai dari 100mm hingga 300mm . Jika spesifikasi Anda tidak tersedia dalam inventaris kami, kami telah menjalin hubungan jangka panjang dengan banyak vendor yang mampu melakukan silik yang tersedia di silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia dalam silik yang tersedia di dalam silik dan silik yang disediakan di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di silik di dalam silik yang tersedia di silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di silik yang tersedia di silik yang tersedia di silik di dalam silik yang tersedia di silik yang tersedia di silik yang tersedia di silik di dalam silik yang tersedia dalam silik yang tersedia di silik di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang tersedia di dalam silik yang disediakan di dalam silik. Industri .
Dicing dan pemolesan yang disesuaikan juga dapat dilakukan sesuai dengan kebutuhan Anda . jangan ragu untuk menghubungi kami .
Fitur Produk
· Tipe 12 "P/N, Wafer Silikon yang Dipoles (25 PC)
· Orientasi: 300
· Resistivitas: 0.1 - 40 ohm • cm (mungkin bervariasi dari batch ke batch)
· Ketebalan: 775+/-20 um
· Prime/Monitor/Test Grade
Tag populer: Wafer 12 inci (300mm), Cina, pemasok, produsen, pabrik, dibuat di Cina
